Location:
Crolles

Country:
France

Job Ref.:
141644

Organization:
FET

Opening date:
13/06/2012

Function:
R&D

No. of offers for job:
1

Description

Contexte de la Thèse:
STMicroelectronics Crolles collabore actuellement avec le LCTE (CEA-LETI) dans le cadre de la mise en place à Crolles des grilles métal pour la technologie 28nm. Dans ce cadre là, une thèse tripartite entre le LETI, lIMEP-LAHC et ST, est entrain de se terminer. Lexpertise du LCTE donne accès à ST à des caractérisations électriques fines ou spécifiques qui ont permis didentifier les mécanismes de la grille métal du 28nm. Suite à son succès, nous souhaitons poursuivre cette collaboration pour acquérir les connaissances nécessaires au 20FDSOI.

Objectif de la Thèse:
Létude consistera à étudier leffet du dépôt de la grille métallique sur la tension de bandes plates de la capacité MOS afin de remonter au travail de sortie effectif pour étudier les variations de VT et de CET. Des mesures IPE seront aussi faites pour mesurer la hauteur de barrière métal/diélectrique. On sintéressera aussi aux effets sur la mobilité et les états dinterfaces. La spécificité dune caractérisation sur substrat SOI devra être prise en compte avec les effets possibles dans le cas de box minces. Dans létude des effets spécifiques à attendre pour le 20FDSOI, on sefforcera de comprendre et caractériser les dépendances des paramètres de lempilement de grille (CET, VT) aux petites dimensions (effets canaux courts), ainsi que le contrôle du travail de sortie qui sera dépendant des conditions de dépôt, et dintégration.

Profile

Education Level Required - BAC+5 (INGENIEUR,DESS,DEA...).The Other skills required are Ingénieur Matériaux / Physique des Semiconducteurs
Trouvé sur STMicroelectronics - il y a 11 mois